Le transistor 2N3055

Le transistor 2N3055

Le transistor 2N3055 est un transistor de puissance utile à de nombreuses applications : alimentations de puissance, amplis audio, commutation, etc. Ses caractéristiques électriques détaillées sont données dans cet article d'après la documentation du fabricant On Semi.

Présentation du transistor 2N3055

Ami(e) électronicien(ne), vous avez déjà entendu parler du 2N3055 parce qu'il est largement utilisé depuis de nombreuses années ! Son boitier métallique est idéal pour dissiper de grandes quantités de chaleur sur un bon radiateur.

Brochage du transistor 2N3055

Le transistor 2N3055 est classique pour son brochage, le boitier métallique étant le collecteur. C'est pour cela qu'on ne voit que deux pattes en dessous : la base et l'émetteur.

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Brochage et boitier du transistor 2N3055

Complémentaire du transistor 2N3055

En version PNP, il existe le MJ2955 qui présente les mêmes caractéristiques mais inversées en tension et courant. Si vous souhaitez réaliser un ampli audio, vous pouvez donc utiliser une paire de transistors faite d'un 2N3055 et d'un MJ2955. Dans ce cas, l'alimentation de l'ampli ne doit pas dépasser +/-30V.

Caractéristiques électriques du transistor 2N3055

Voici les caractéristiques électriques de ce transistor :

- Tension collecteur émetteur max Vce : 60V

On peut pousser cette tension à 70V si on place une résistance entre base et émetteur de 100 Ohms.

- Courant collecteur continu : 15A

- Gain en courant hfe : 20 à 70 (mesuré à un courant collecteur Ic=4A)

- Tension Vcesat : 1.1V max à Ic = 4A, Ib = 400mA

Lorsqu'on fait passer 4A dans le 2N3055, il y a au maximum un résiduel de 1.1V entre collecteur et émetteur.

- Tension Vcesat : 3.0V max à Ic = 10A, Ib = 3.3A

Le transistor dissipe 30W dans ce fonctionnement là !

- Tension base-émetteur (Ic = 4A, Vce = 4V) : 1.5V max

La tension base-émetteur (qui n'est rien d'autre qu'une tension de jonction PN) peut atteindre 1.5V.

- Tension base-émetteur inverse : 7V max

- Puissance dissipable Ptot : 115W (boitier maintenu à Tc=25°C)

- Température de stockage et de fonctionnement : -50°C à +200°C

- Produit gain bande passante (fréquence de transition) : 2.5MHz minimum

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Extrait de datasheet du 2N3055

La fréquence de transition représente la fréquence à laquelle le gain en courant a chuté à 1. Pour une fréquence de transition de 2.5MHz, on peut utiliser un gain de courant de 10 jusqu'à 250kHz (10 x 250kHz = 2.5MHz) ou un gain en courant de 50 jusqu'à 50kHz (50 x 50kHz = 2.5MHz aussi).

Second claquage (second breakdown)

La dissipation maximum de puissance (115W) est restreinte à partir de Vce = 30V. Pour des tensions collecteur émetteur Vce supérieures à 30V, le transistor 2N3055 ne peut plus dissiper ses 115W. C'est une limitation qui existe sur tous les transistors bipolaires de puissance. Les transistors Mosfet de puissance, quant à eux, n'ont pas ce phénomène.

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Puissance dissipée maximum en fonction de la tension Vce

Noms du transistors

Ce transistor se trouve commercialisé sous le nom plus moderne "2N3055G", le suffixe G signifie qu'il ne contient pas le plomb (il est conforme RoHS)

Le 2N3055 et le MJ2955 existent aussi en boitier plat, plus facile à monter sur un radiateur : le TIP3055 et le TIP2955 (ou TIP3055G et TIP2955G en version RoHS).

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Brochage des transistors TIP3055 et TIP2955, versions plates des 2N3055 et MJ2955

La seule différence, c'est qu'ils dissipent un peu moins de chaleur : 90W au lieu de 115W.

Applications de ces transistors 2N3055 et MJ2955

Les applications classiques sont :

2N3055 seul : alimentation linéaire stabilisée (type 0-30V 5A)

2N3055 et MJ2955 : ampli audio alimenté par +/-30V

Références :

http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/2N3055-D.PDF
http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/TIP3055-D.PDF

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  Le transistor 2N3055, publié par nina67 le 14 Septembre 2015
Les 10 outils indispensables pour l'électronique
Nina67
1 COMMENTAIRES
daniel

bonjour votre site est tres pratique pour rechercher et mieux comprendre les designations merci

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