Le transistor bipolaire: Darlington et résistance
Pour obtenir un gain en courant très elevé, on peut mettre deux transistors "l'un derrière l'autre". L'idée est d'avoir deux gains en courant successifs : c'est le montage Darlington.
Connexions :
Base : base du premier
Collecteur : collecteur des 2 transistors
Emetteur : émetteur du second
Caractéristiques :
Gain = produit des gains
Tension de seuil Vbe : 2x0.6V = 1.2V
Un Darlington peut exister en un seul boitier, de type NPN ou PNP, de faible ou de forte puissance (BC517, TIP142, etc).
Résistance base-émetteur
Le rôle de R2 est d'améliorer les performances du Darlington en commutation à haute fréquence. Lorsque le courant de base de T1 est coupé, T1 bloque, et la base de T2 deviendrait flottante si R2 n'était pas là. R2 permet d'accélérer le blocage de T2 en évacuant les charges résiduelles de sa base. Une valeur trop faible de R2 dévierait trop de courant et ainsi le courant de base de T2 serait réduit, réduisant ainsi le gain total du montage. Un compromis se trouve souvent entre 10 et 1000 Ohms.
De plus, à très faible courant de base, le courant d'émetteur de T1 ne crée pas une tension suffisante aux bornes de R2, ainsi T2 reste bloqué. T2, optimisé pour les courants élevés, ne fonctionne ainsi pas. Il ne se déclenche que lorsque la tension aux bornes de R2 atteint 0.6V.
Le rôle de R1 est analogue.
Le gain d'un Darlington peut varier de 500 à 10000.
Dans les Darlington intégrés, il y a souvent une diode entre l'émetteur et le collecteur (cathode au collecteur pour un NPN). Elle peut servir de roue libre lorsque la charge est inductive.
dimanche 8 mai 2011 18:02
voila je cherche un exercice resolu sur le montage darligton je veux un exercise comme mon exercice en aide en urgense bah ma prof malde elle cherche tjr pr monbeter