Inductance électronique : simulation à transistor

nina67

Nina67 - Le 2 janv. 2011 21:15
Mise à jour : Le 23 juil. 2015 05:40

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Pour simuler des inductances très élevées, on peut utiliser un montage très simple à transistor bipolaire. Il ne s'agit pas d'un montage gyrateur à ampli op. Les valeurs d'inductances simulées peuvent atteindre facilement le Henry.

inductance electronique simulation a transistor 0Schéma de l’inductance électroniqueCe montage ne fonctionne correctement que si le transistor est polarisé correctement, c’est-à-dire que la tension d’entrée Ve doit posséder une composante continue positive. Le transistor fonctionne alors en régime linéaire. Cela est idéal pour la séparation d’une composante continue (qui peut servir d’alimentation) et d’une composante alternative (signaux, données). RL, la charge à la sortie, est nécessaire pour les calculs.Principe du calculLors d’un échelon de tension de Ve, Vs présente une réponse de type premier ordre passe bas. On calcule donc L en identifiant les constantes de temps des deux montages.Détermination de LL’additivité des tensions pour l'inductance électronique s’écrit :


inductance electronique simulation a transistor 1

Ve : tension d'entrée

UR : tension aux bornes de R

Uc : tension aux bornes de C

Vs : tension de sortie

 

Les courants d’émetteur (traversant RL) et collecteur sont supposés égaux (Ib << Ic). Pour simplifier, on suppose que la tension base-émetteur (Vbe) est constante (donc sa dérivée est nulle). La tension aux bornes de C est aussi égale à la tension Vbe en série avec la tension aux bornes de RE. La dérivée de Uc est aussi donnée :

 

inductance electronique simulation a transistor 2

 

Par ailleurs, Ib = Ic/β (β : gain du transistor, allant typiquement de 100 à 400). En remplaçant dans l’expression de Ve, il vient (factorisation dans les 2ème et 3ème ligne) :inductance electronique simulation a transistor 3On fait apparaître la forme standard de cette équation différentielle en Ic :inductance electronique simulation a transistor 4

Equation différentielle de l'inductance électroniqueOn identifie la constante de temps τ (prononcer "tau") de l'inductance électronique :

 

inductance electronique simulation a transistor 5

 On obtient ainsi l’expression de L, l'inductance électronique :

 

inductance electronique simulation a transistor 6

 RE et R/β doivent être très inférieures à RL pour minimiser la chute de tension dans l’inductance électronique. Dans ce cas qui est souhaitable, l'inductance électronique prend la valeur approchée :

 

inductance electronique simulation a transistor 7

Valeur de l'inductance électronique

Remarques

 

- On constante la concordance des unités dans la formule approchée ci dessus (programme Terminale S).

 

- On peut souvent négliger la résistance de sortie du transistor (=1/gm) devant RE. 1/gm = Ut / Ic, où Ut = kT/q = 26 mV à 25°C. gm dépend du courant dans l’inductance électronique.

 

La résistance RE peut être mise à profit pour une limitation de courant à base de transistor. Le courant de limitation est alors défini par Imax = Vbe / RE. Il faut ajouter un 2e transistor pour réaliser cette fonction.

 

L'article suivant présente l'inductance électronique sous l'aspect temporel et montre quelques résultats de simulation : Inductance électronique  : simulation à transistor (2)