Le transformateur réel ne présente pas un couplage magnétique parfait : une partie des lignes de champ magnétique ne sont pas captées par le secondaire. Cela correspond à de l’énergie stockée qui ne peut aller vers le secondaire. On peut modéliser ce défaut par une inductance en série avec le transformateur idéal : l’inductance de fuite.
L’inductance de fuite du transformateur
Le circuit magnétique d’un transformateur ne canalise pas tout à fait la totalité du champ magnétique créé par l’enroulement alimenté. En d’autres termes, des lignes de champ magnétique « fuient » en dehors du transformateur et ne sont pas exploitées par un autre enroulement. On peut aussi dire qu’une certaine énergie magnétique existe à proximité du transformateur (dans l’air) et que cette énergie est liée au courant qui circule dans l’enroulement. Le modèle électrique consiste donc à placer une inductance (l’inductance de fuite) en série avec le bobinage.
Ci dessus, le modèle des inductances de fuite du primaire (L1) et du secondaire (L2).
De même que pour les résistances série, on peut ramener L1 au secondaire, en la multipliant par le coefficient de transformation k élevé au carré (k²).
On a donc une seule inductance de fuite de valeur k².L1 + L2. L’inductance de fuite s’ajoute en série à la résistance série.
Dans les alimentations à découpage, l’inductance de fuite est critique parce qu’elle génère des surtensions lors de la commutation des courants dans le transformateur (à l’ouverture). Un circuit snubber (RC série ou autre méthode) doit être calculé puis placé en parallèle avec l’enroulement primaire pour absorber ces surtensions ou bien le transistor hacheur doit pouvoir supporter une tension plus importante (Vds ou Vce plus élevé).
Bonjour Stéphane et merci pour les renseignements.
Si j’ ai bien compris une simple diode en parallèle sur le primaire ne convient pas car elle limite trop la tension qui apparait sur le primaire lors de l’ ouverture du transistor hacheur.C’ est bien ca?
Donc,la tension secondaire depend de la tension qui apparait sur le primaire a l’ouverture du transistor hacheur et du rapport de transformation du tranfo?
Et enfin la tension inverse qui apparait sur le primaire a l’ouverture de transistor hacheur dépend du temps de conduction de celui ci et donc de l energire accumulée pendant la phase de magnétisation du primaire (transistor hacheur saturé)?
Merci beaucoup pour votre aide !
Cordialement
Bonjour,
le problème est un peu plus compliqué que cela. Les alims à découpage de faible puissance (chargeurs de téléphones, sont basées sur une topologie Flyback. Après l’ouverture du transistor hacheur, la tension s’inverse aux bornes du primaire : c’est la tension réfléchie, image de la tension secondaire. Une simple diode ne permet pas cela. Le snubber, quant à lui, amortit les surtensions qui ont lieu avec l’inductance de fuite. Après cette phase là, d’autres oscillations apparaissent avec l’inductance magnétisante (secondaire ouvert car conduction de la diode terminée). Si on souhaite utiliser une simple diode, il faut ajouter une transil rapide en série dont la tension de seuil est supérieure à la tension réfléchie. On choisit couramment 150 – 200V. Cordialement
Bonsoir Stéphane et merci pour toutes ces explications !
Je me demandais pourquoi metttre un circuit rc série (snubber) en parallèle sur l’ enroulement du tranfo et pas simplement une diode de roue libre?
J’ ai constaté en effet que sur la plupart des alim a decoupage de lecteur ou enregistreur dvd , il y a effectivement ce fameux circuit rc série en paralllèle sur le primaire du transfo… et pas une simple diode.
Merci d’avance pour les infos que vous m’ apporterez.
Cordialement